Другой отличительной особенностью данного метода является возможность реализации технологической обработки пластины в замкнутом цикле, что исключает нарушающее воздействие внешней среды, исключает необходимость создания условий дорогостоящей чистой комнаты и позволяет полностью автоматизировать процессы обработки, поскольку все управление установкой можно осуществлять путем изменения соответствующих электрических величин.

Внимание!

Если вам нужна помощь с работой, то рекомендуем обратиться к профессионалам. Более 70 000 экспертов готовы помочь вам прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

Ионное осаждение, возможно, проводить как сфокусированным пучком, для получения локальных структур, так и пучком, разведенным в растр, если необходимо нанесение слоев большой площадью. С помощью ионного осаждения можно получать слои самых различных элементов: полупроводников, металлов, оксидов, нитридов. С точки зрения изготовления приборов важно то, что одним и тем же методом можно в принципе последовательно осаждать полупроводниковые, изолирующие и металлические слои в чистых вакуумных условиях.

Ионно-лучевая технология позволяет применять наиболее эффективный и качественный метод тонкой очистки поверхностей от загрязнений ― ионную бомбардировку, при которой происходит распыление поверхностных слоев мишени. Происходит очистка поверхности подложки, контактировавшей с окружающей средой, удаляются загрязнения вызванные адсорбированными атомами газа, слоем естественного окисла, атомами и молекулами, данный процесс  эффективен и не требует больших энергетических затрат.

Вариацией энергии падающих на подложку ионов в технологической камере могут проводиться различные операции: очистка подложки, синтез сложных соединений, осаждение  различных тонкопленочных структур на разные типы подложек. Основной отличительной особенностью разрабатываемой технологии  является ее универсальность и перспективность.

К началу выполнения данной работы в литературе имелась информация о получении тонкопленочных слоев, методом лучевого

осаждения, но сведения по данным технологиям весьма ограничены. Подобных сведений о технологии и оборудовании ионно-лучевого получения тонкопленочных солнечных элементов практически нет. В связи с этим тема данной работы актуальна с научной точки зрения и практически значима.

Цель и задача диссертационного исследования.

Целью данной работы является: проектирование и апробация функциональных узлов экспериментальной установки ионно-лучевого осаждения. Расчет параметров распыления и осаждения материала, управления ионным пучком. Изготовление экспериментального образца установки ионно-лучевого осаждения, реализующей в едином технологическом пространстве процессы получения  пленочных полупроводниковых, диэлектрических слоев и металлических контактов.  Получение и исследование основных параметров пленочных структур ионного осаждения на изолирующих подложках.

Нужна работа? Есть решение!

Более 70 000 экспертов: преподавателей и доцентов вузов готовы помочь вам в написании работы прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

Для реализации поставленной цели решались  следующие задачи:

  • конструирование и апробация технологического оборудования ионно-лучевого осаждения;
  • расчет и исследование параметров распыления вещества в среде инертных газов;
  • расчет и исследование параметров управления ионным пучком опытного образца экспериментальной установки ионно-лучевого осаждения;
  • расчет и исследование процесса осаждения из ионного пучка;

—   разработка практических рекомендаций по оптимизации технологии   получения тонкопленочных слоев методом осаждения из пучков низкоэнергетических ионов.

Научная новизна.

Предложена конструкция ионного источника совмещенного типа для получения ионного пучка с несколькими типами ионов.         Рассмотрены конструктивные особенности источника ионов, устройств управления ионным лучом. Исследования проводились для Al, Si, As, Ti, Pd, используемых для получения тонкопленочных солнечных элементов.

Разработана конструкция установки ионно-лучевого осаждения, основанная на независимой системе откачки из ионного источника и рабочего пространства. Произведен расчет и предложен оптимальный алгоритм работы функциональных узлов опытного образца экспериментальной  установки ионно-лучевого осаждения [1].

Предложена и разработана конструкция гетероионного насоса, позволяющий получать безмасляный вакуум при давлении не хуже 10-5 Па.

Получены и исследованы концентрационные зависимости скорости осаждения от ионного тока и радиуса ионного пучка применительно к разработанной конструкции совмещенного ионного источника.

Рассмотрены конструктивные особенности функциональных узлов вакуумной системы установки ионно-лучевого осаждения. Произведен расчет производительности вакуумной системы и исследованы основные параметры вакуумной системы.

Практическая значимость результатов исследования.

На основе разработанного метода ионно-лучевого осаждения был изготовлен опытный образец  установки ионно-лучевого осаждения.

Закажите работу от 200 рублей

Если вам нужна помощь с работой, то рекомендуем обратиться к профессионалам. Более 70 000 экспертов готовы помочь вам прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

С помощью разработанного ионного источника совмещенного типа были получены ионные пучки, как с ионами одного типа, так и с ионами различных типов в одном пучке при концентрации ионов до 1015 ион/см2. Конструктивные особенности источника ионов,  позволяют в широких пределах управлять параметрами ионного пучка.

В разработанной конструкции установки ионно-лучевого осаждения, используется независимая откачка, как из ионного источника, так и из рабочего пространства вакуумной камеры.

Разработанная конструкция гетероионного насоса, позволяет эффективно получать безмасляный вакуум в рабочей камере, что значительно повышает качество получаемых полупроводниковых, диэлектрических и металлических  пленок.

Исследован процесс осаждения тонкопленочных слоев на диэлектрическую подложку, адгезия пленки к подложке таких слоев, как Ti, Al, Si. Разработана  технология легирования слоев кремния при ионно-лучевом осаждении, как  p-типа, так n-типа на основе проведенных расчетов и экспериментальных исследований.

Разработан процесс осаждения металлической многослойной (Pd-Al) гребенки на полупроводниковый слой Si. Рассчитаны и проведены основные экспериментальные параметры процесса.

Проведенные эксперименты показывают удовлетворительную сходимость результатов расчета осаждения тонких пленок и экспериментальных данных.

Достоверность научных положений и результатов исследования.

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физики, физической химии, строгой обоснованностью приближений в

Нужна работа? Есть решение!

Более 70 000 экспертов: преподавателей и доцентов вузов готовы помочь вам в написании работы прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

процессе расчета распыления материала в плазме, управления ионным лучом, осаждения поликристаллических  тонкопленочных слоев.

Основные научные положения выносимые на защиту:

  1. Спроектирован и изготовлен экспериментальный образец установки ионно-лучевого осаждения реализующей в едином технологическом пространстве процессы получения пленочных слоев и нанесение металлизации контактов в локальные области для создания топологического рисунка.
  2. Изготовлен комбинированный источник ионов для установки ионно-лучевого осаждения, в котором возможно получать, как один тип ионов, так и несколько разных типов ионов в одном пучке. [2].
  3. Разработана и изготовлена независимая система откачки вакуумной установки ионно-лучевого осаждения, что позволяет поддерживать необходимое давление в требуемом месте установки.
  4. Разработаны и изготовлены гетероионные насосы для получения соответствующего вакуума в рабочем пространстве источника ионов, и рабочем пространстве вакуумной камеры, где происходит осаждении тонких пленок [6].
  5. Исследован процесс осаждения тонкопленочных слоев на подложке из диэлектрических материалов (кварцевого стекла, возможно, использование обычного оконного стекла) [2,3].
  6. Разработана ионно-лучевая технология получения легированных тонкопленочных слоев p–типа и n-типа, осаждения многослойной структуры металлической гребенки, позволяющая получать дешевые  тонкопленочные поликристаллические солнечные элементы с достаточно высоким КПД не менее 10 %.

Апробация и внедрение результатов исследования.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на IV международной научно-технической конференции «Современные энергетические системы и комплексы и управление ими» (Новочеркасск, 2004), IV международной конференции «Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, УлГУ, 2004), V международной конференции ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2004),  V международной конференции ученых и студентов  «Актуальные проблемы современной науки: Естественные и медицинские науки»  (Самара, 2004), Девятой международной технической конференции «Актуальные проблемы  твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2004),  IV международной научная конференция «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии» (Ставрополь СевКазГТУ, 2004), V международной научно-практической конференции «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» (Новочеркасск, 2004), в журнале «Известия вузов Северо-Кавказкого региона Технические науки» (Прил. №9), а так же на конференциях и совещаниях, семинарах  лаборатории  «ЭиА» ВИ ЮРГТУ.

Публикации.

По результатам исследований опубликовано 24 печатных работы, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

 Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, содержит 151 печатных страниц текста, 63 иллюстраций, 6 таблиц. Список литературы включает 113 наименований.

Основное содержание работы

Во введении дается краткая характеристика работы, в частности, обосновывается актуальность темы, цель и задачи исследования, новизна работы, и ее достоверность, научная и практическая ценность, перечисляются основные положения, выносимые на защиту, отмечается апробация работы.

Глава 1 содержит обзор литературных источников, раскрывающих проблематику диссертации. Проведен критический анализ теоретических и экспериментальных работ, посвященных методу ионно-лучевого осаждения, их свойствам и возможностям применения. Подробно рассмотрены виды солнечных элементов преимущества и недостатки каждого из видов солнечных элементов. Показаны преимущества тонкопленочного поликристаллического солнечного элемента. Рассмотрены технологии получения солнечных элементов их достоинства и недостатки.  Показаны преимущества метода ионно-лучевого осаждения при получении тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов. Обоснованы и сформулированы основные задачи исследования.

Глава 2 посвящена расчету процесса распыления материала при воздействии ионами инертных газов в плазме, расчету функциональных узлов и систем управления ионным лучом [4]. Произведен феноменологический анализ процессов распыления.

На основе расчета процесса распыления был разработан ионный источник. Ионный источник спроектирован таким образом, что позволяет

получать многокомпонентную плазму [4]. Для предотвращения утечки плазмы по объему рабочей камеры, применен концентратор плазмы представляющий собой конус из металла.  Для изменения сечения ионного пучка был проведен расчет  системы фокусировки ионного луча. При расчете системы принималось, что диаметр пучка должен быть равным или меньше входного диаметра представлено схематическое изображение источника ионов.

Исходя из этого условия были найдены  зависимости фокусного расстояния от разности потенциалов для различных энергий ионов в пучке. Спроектированные устройства фокусировки установки ионно-лучевого осаждения позволяют получать тонкие слои из пучков ионов, изменяя разрешение осаждения.

За основу была взята электростатическая система. Она достаточно проста в обслуживании, обладает малым энергопотреблением и хороша в вакуумных условиях.

Закажите работу от 200 рублей

Если вам нужна помощь с работой, то рекомендуем обратиться к профессионалам. Более 70 000 экспертов готовы помочь вам прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

В изготовленном устройстве сканирования для установки ионно-лучевого осаждения можно использовать напряжения порядка 100 В, при этом угол отклонения для большинства элементов будет равным порядка

300 [5]. Основываясь из выше изложенных расчетах, можно привести основные характеристики устройства, такие как:

  • скорость осаждения ионов 0,2 до 6 нм в секунду;
  • энергия ионного пучка до 3000 эВ;

Перечисленные показатели позволяют создавать тонкопленочные слои для солнечных элементов и других полупроводниковых элементов с заданными параметрами.

Глава 3 Для того чтобы процесс ионно-лучевой эпитаксии проходил без заметного влияния внешней среды необходимо создание соответствующей вакуумной системы [6]. Была сконструирована

вакуумная система, отвечающая требованиям процесса ионно-лучевого осаждения.  Таким образом, вакуум в рабочей камере установки должен быть не хуже, чем 10-4-10-5 Па. Для создания высокого вакуума была сконструирована  независимая откачка вакуумной системы.

Первая линия вакуумной системы состоит из последовательно соединённых форвакуумного насоса, диффузионного насоса, соединённого с ним гетеро-ионного насоса в совокупности позволяющих получать в рабочей камере необходимый вакуум и поддерживать его в процессе работы. Для получения высокого вакуума в установке ионно-лучевого осаждения, откачиваемый объем установки объединили в один сектор. Сектор глубокого вакуума состоит из блоков – рабочая камера и байпас. Откачка вакуума ведется  до 10-5 Па.

Малый гетеро-ионный насос служит для поддержания необходимого давления в ионном источнике, который соединен с рабочей камерой через отверстие в ионном источнике, служащее для выхода ионов в рабочее пространство вакуумной камеры.

Для надежного управления получением вакуума была спроектирована компьютеризированная система, позволяющая контролировать работу вакуумных насосов от компьютера. Сигнал, переданный с компьютера, преобразуется в сигнал включения или выключения, в зависимости от того, какой алгоритм работы установки запрограммирован. Приложение программы управления написано на Delphi, а программа  прошивки микроконтроллера на Assembler.

Скидка 100 рублей на первый заказ!

Акция для новых клиентов! Разместите заказ или сделайте расчет стоимости и получите 100 рублей. Деньги будут зачислены на счет в личном кабинете.

Подробнее Гарантии Отзывы

Глава 4. Посвящена расчету процесса осаждения тонкопленочных слоев, а так же расчету и созданию технологии получения тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов на основе метода ионно-лучевого осаждения [1]-[4]. Описание роста пленок основано на предположении о формировании структуры из отдельно растущих частиц новой фазы на поверхности подложки.

Был проведен расчет процесса при следующих параметрах осаждения. Ионный луч сфокусирован, отклонение атомов от заданной траектории минимально.

— концентрация ионов в луче на единицу площади выше 1014 ион/см2, скорость роста тонкопленочного слоя.

— сила отрыва поликристаллических слоев от поверхности подложки в данном случае достигает свыше 6 кг на 1 см2.

Данные расчета применимы к получению металлической гребенки тонкопленочного солнечного элемента, как с применением маски, так и без маски:

— концентрация ионов в луче на единицу площади порядка 1014 ион/см2, скорость роста поликристаллических слоев соответствует рабочим параметрам процесса.

— сила отрыва слоя от поверхности подложки варьируется в пределах 2-6 кг на 1мм2.

Данные расчета осаждения применимы к получению полупроводниковых слоев поликристаллического солнечного элемента методом ионно-лучевого осаждения растровым пучком [7]. На рис. 2 показана зависимость скорости роста пленки Ti и Al от напряжения на ионном источнике. В первую очередь на стеклянную подложку осаждается подслой на основе Ti. Это связано с тем, что слой титана обладает хорошей адгезией к стеклянной подложке [1,3]. Выбор алюминия в качестве материала для получения второго слоя омического контакта определяется удовлетворительными электрофизическими характеристиками этого слоя. Поскольку адгезия пленки алюми­ния к поверхности стекла ниже чем у Ti, то в ка­честве  адгезионного подслоя используется слой титана, который в отличие от алюминия имеет более высокую силу сцепления к стеклянной подложке. Оптимальная температура подложки для осаждения алюминия со­ставляет 373±10 К.

Осаждение проводится растровым пучком площадью S=0,011 м2. Поликристаллические пленки алюминия при указанных режимах, состоят из кристаллов с поверхностным размером зерен 0,3…0,8 мкм. Толщина плен­ки алюминия колеблется в пределах 0,5 мкм. При помощи данной технологии можно получать структуры, удовлетворяющие поставленным требованиям, без сильного нагрева подложки.

Закажите работу от 200 рублей

Если вам нужна помощь с работой, то рекомендуем обратиться к профессионалам. Более 70 000 экспертов готовы помочь вам прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

Для осаждения слоя титана используется растровый пучок (Sпучка=0,011 м2), температура подложки  373 К. При напряжении на ионном источнике порядка 3 кВ, время необходимое на получения подслоя толщиной 0,02 мкм, составляет порядка 220 с.

Осаждение слоя Al происходит при напряжении на ионном источнике порядка 3 кВ, температура подложки 373 К. Время осаждения слоя алюминия толщиной 0,5 мкм составляет 300 с. Далее проводим осаждение слоев кремния.

Для получения области р-типа легируем кремний алюминием. Распыление примеси Al в источнике проводится одновременно с

основным материалом. Толщина р-области 1,2 мкм напряжение осаждения на ионном источнике 3 кВ, время осаждения 2400 с. слой кремния и получение p-n-перехода с помощью легирования слоев Si примесью Al  для получения     р-области  и As для получения n-области получаем в течении 2600 с.

Для получения области n-типа легируем кремний мышьяком. Толщина n-области 0,1 мкм время осаждения 200 с. Длина металлических контактов на подложке диаметром 120 мм в нашем  случае изменяется от 0,03 м до 0,12 м от центра подложки к ее границе. При этих размерных параметрах его сопротивление будет изменяться от 0,64 до 1,3 Ом, в зависимости от длинны линий гребенки.

Осаждение гребенчатой металлической пленки в установке ионно-лучевого осаждения проводилось через маску – тонкая пластина с толщиной 0,1 мм

Осаждение Pd на полупроводниковый поликристаллический слой   проводится растровым  пучком (Sпучка=0,011 м2), температура подложки  373 К. Толщина  поликристаллического слоя Pd порядка 0,04 мкм, время необходимое для осаждения слоя при напряжении 3 кВ 10 с.

Скидка 100 рублей на первый заказ!

Акция для новых клиентов! Разместите заказ или сделайте расчет стоимости и получите 100 рублей. Деньги будут зачислены на счет в личном кабинете.

Подробнее Гарантии Отзывы

Далее формируем верхний слой Al. Толщина слоя 0.46 мкм время необходимое для осаждения слоя при напряжении 3 кВ 270 с.

В завершении главы 4 раскрываются характеристики технологического цикла получения тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов.  В заключение работы приводятся результаты и выводы работы.

Основные результаты и выводы работы

1. Обзор проблематики по литературным данным показал, что использование технологии ионно-лучевого осаждения обеспечивает ряд преимуществ — такие как увеличение качества осаждаемых слоев, значительное уменьшение времени производства тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов.

2. Рассчитаны параметры процесса распыления металлов и полупроводников в ионном источнике.

3. Разработан и изготовлен ионный источник. Рассчитаны оптимальные параметры распыления и концентрация плазмы в источнике.

4. Рассчитаны параметры процесса экстракции ионного луча. Произведен расчет оптимального значения напряжения на электродах экстрактора.

5. Рассчитаны параметры и изготовлено устройство экстракции ионов, показан оптимальный режим работы для процесса осаждения.

Закажите работу от 200 рублей

Если вам нужна помощь с работой, то рекомендуем обратиться к профессионалам. Более 70 000 экспертов готовы помочь вам прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

6. Разработано и изготовлено устройство фокусировки ионного луча, показан оптимальный режим работы системы для процесса осаждения. Произведен расчет напряжения и изменение сечения ионного луча в зависимости от напряжения.

7. Произведен расчет и изготовлено устройство сканирования ионного луча по подложке.

8. Рассчитан и исследован процесс осаждения тонкопленочных слоев. Было показано, что вывести точную модель осаждения достаточно сложно, трудно предусмотреть все факторы, влияющие на процесс осаждения.

9. Произведено осаждение металлического контакта на поверхность из кварцевого стекла. Проведен анализ веществ для получения омического контакта.

10. Произведено осаждение полупроводникового Si слоя p-типа на поверхность из кварцевого стекла с осажденным алюминием и титаном. Легирование  полупроводникового слоя Si  проводилось Al. [7].

11. Проведено осаждение базового слоя p-типа (полупроводникового слоя Si). Проведено осаждение высоколегированной области n+-типа. Проведено осаждение контактной гребенки.

12. Исследованы свойства полученных полупроводниковых и металлических тонких пленок, которые показали возможность создания на их основе достаточно эффективных и дешевых солнечных элементов.

Нужна работа? Есть решение!

Более 70 000 экспертов: преподавателей и доцентов вузов готовы помочь вам в написании работы прямо сейчас.

Подробнее Гарантии Отзывы

13. Исследованы свойства полученных полупроводниковых и металлических тонких пленок, которые показали возможность создания на их основе достаточно эффективных и дешевых солнечных элементов.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Газарян С.Ю. Современные энергетические системы и комплексы, и управление ими. / Материалы IV Междунар. научно.-практ. конф., г. Новочеркасск, 28 мая 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.2.-С 30-33.
2. Сысоев И.А., Письменский М.В., Марченко А.А., Газарян С.Ю. Молекулярная динамика наноструктур на основе А3В5. / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ, 2004.-С.28.
3. Благин А.В., Письменский М.В., Сысоев И.А., Русинов С.В. Моделирование параметров лазерной гетеро- структуры с вертикальным резонатором. / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ, 2004.-С.28.
4. Благин А.В., Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В. Исследование возможности формирования твердых растворов на основе
А4В6 методом градиентной жидкофазной кристаллизации для приемников излучения дальнего ик-диапазона / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ, 2004.-С.79.
5. Благин А.В., Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В. Исследование возможности получения нанослоев соединений А3В5
методом ионно-лучевого локального осаждения / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ, 2004.-С.129.
6. Русинов С.В., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Автоматическая система управления температур новременным режимом градиентной жидкофазной кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С 45-47.
7. Письменский М.В., Русинов С.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Возможности применения ионно-лучевого осажде ния для синтеза тонко пленочных структур. / Актуальные проблемы современной науки: Тех.
науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С С 48-49.
8. Письменский М.В., Русинов С.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Повышение разрядности аналогово цифрового преобразователя микро контролера C8051F005. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С 49-51.
9. Русинов С.В., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Возможности применения преобразования гильберта для определения основных параметров асинхронного двигателя / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.– С 51-53.
10. Марченко А.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Сысоев И.А. Моделирование получения гетероструктур на основе А3В5. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 21-22.
11. Марченко А.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Благин А., В. Твердые растворовы Pb1-xSn1Te(In), сформированные методом градиентной жидкостной кристаллизации. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 22-23.
12. Русинов С.В., Письменский М.В., Овчаренко А.И. Возможности анализа стабильности динамики меж фазных границ твердых растворов полученных методом градиентной жидкостной кристаллизации. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар.
конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 26-30.
13. Благин А., В., Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Исследование возможности формирования твердых растворов растворов Pb1-xSnxTe и Pb1-xSnxTe(In) методом градиентной жидкофазной кристаллизации. / Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. девятой Междунар. науч.- техн. конф., (Дивноморское, Россия, 12-17 сент. 2004 г.). –Таганрог, 2004.- Ч.1- С. 201-203.
14. Благин А., В., Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Система управления температурным режимом технологического процесса получения полупроводниковых материалов методом градиента жидкофазной кристаллизации. / Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. девятой Междунар. науч.- техн. конф., (Дивноморское, Россия, 12-17 сент. 2004 г.). –Таганрог, 2004.- Ч.1- С. 10-13.
15. Письменский М.В., Русинов С.В., Возможности применения метода ионно-локального осаждения для получения тонких пленок на основе А4В6. / Химия твердого тела и современные микро – и нанотехнологии: IV Меж дунар. науч. конф., 19-24 сент. 2004 г.- Ставрополь: СевКазГТУ, 2004.-С. 297-298.
16. Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Марченко А.А., Возможности получения соединений А3В5 методом ионно-лучевого локаль ного осаждения. / Химия твердого тела и современные микро – и нанотехнологии: IV Меж дунар. науч. конф., 19-24 сент. 2004 г.- Ставрополь: СевКазГТУ, 2004.-С. 298 — 300.
17. Сысоев И.А., Письменский М.В., Принципиальная конструкция ионного источника установки ионно-лучевого осаждения. / Изв.вузов
Сев. Кавк.регион. Тех. науки.- 2004.- Прил. №9.-С.183-189.
18. Сысоев И.А., Письменский М.В., Изготовление солнечного элемента с помощью установки ионно-лучевого осаждения в едином технологическом цикле. / Изв.вузов Сев. Кавк.регион. Тех. науки.- 2004.- Прил. №9.-С.189-191.
19. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Сиротин Д.В. Возможность управления параметрами полупроводниковых материалов с помощью метода ионно- лучевого осаждения. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ.
конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.1.-С.18-21.
20. Сысоев И.А., Письменский М.В., Газарян С.Ю., Велиев. Р.П., Исследование температурного поля вблизи рабочей зоны на установке ЗПГТ. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики:
Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.1.-С.22-24.
21. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Марченко А.А., Возможность управления ионным пучком техноло гического процесса ионно лучевого осаждения. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.10-11.
22. Сысоев И.А., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Русинов С.В., Система управления температурно-временным режимом градиентной жидкофазной кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.15-18.
23. Сысоев И.А., Письменский М.В., Газарян С.Ю., Велиев. Р.П., Многоканальный аппаратный комплекс высокочастотного измерения температуры. / Теория, методы и средства измерений, контроля и
диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.23-26
24. Сысоев И.А., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Русинов С.В., Определение основных параметров асинхронного двигателя с помощью преобразований гильберта. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.26-27.

Литература

1. А.И Костржитский, В.Ф Карпов. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме // М.:Машиностроение, 1991-76с.
2. Технология тонких пленок (справочник) /Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Т.1. М.: Советское радио, 1977 — 664 с.
3. Блинов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства // М.: Машиностроение, 1986 — 264 с., ил.
4. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии // М.: Высшая школа, 1984 — 320 с.
5. Радциг А.А, Смирнов Б.М. Параметры атомов и атомных ионов (справочник) // М.: Энергоатомиздат, 1986 — 344 с.
6. Ларин М.П. Высоковакуумные агрегаты с криогенным и магниторазрядным насосами // Приборы и техника эксперимента, 1982, №2, с.130-133.
7. М.И. Елинсона, В.Б.Сандомирского. Физика тонких пленок // М.: Издательство «Мир», 1967 – 396 с.