Уникальное сочетание физических свойств, включающее большую ширину запрещенной зоны, высокую дрейфовую скорость насыщения носителей, высокое напряжение пробоя, высокую теплопроводность, высокую химическую и термическую стойкость позволяет рассматривать нитридные полупроводники как наиболее перспективный материал для создания приборов нового поколения. Именно с внедрением GaN в настоящее время связывается прорыв в СВЧ — и сильноточной электронике.
В настоящее время параметры приборов на GaN не достигли предельных значений. Это обусловлено использованием чужеродных подложек и несовершенством выращиваемых на них эпитаксиальных структур.
Кроме эпитаксиальных процессов не менее сложными являются постростовые процессы создания приборного чипа.
Постростовые процессы в производстве полупроводниковых приборов определяют достижимые параметры и надежность приборов. Наиболее ответственными операциями постростовой обработки микроприборов на нитриде галлия являются: создание омических и выпрямляющих контактов, микропрофилирование эпитаксиальной структуры и пассивация поверхности.
Использование непроводящих подложек приводит к необходимости введения в технологический процесс операции микропрофилирования для формирования областей под металлизацию контактов (омических и выпрямляющих) и изоляции между элементами. При этом глубина удаляемой области полупроводника может изменяться от единиц (вплоть до десяти) до долей микрометров. Одновременно с этим предъявляются требования к сохранению морфологии поверхности после процесса травления.
Не менее важным аспектом создания микроприборов является формирование воспроизводимых и надежных систем омических и выпрямляющих контактов.
Все вышесказанное и определяет важность и актуальность данной диссертационной работы, посвященной комплексному исследованию постростовых операций формирования микроприборов на основе нитридов ІІІ группы.
Целью работы — является разработка основных технологических операций прецизионного микропрофилирования и формирования контактных систем для структур на основе нитридов III группы и создание на базе разработанных технологий диодов Шоттки и HEMT транзисторов.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:
- Разработка технологии микропрофилирования эпитаксиальных структур на основе нитридов ІІІ группы.
- Выбор материалов и их композиций для формирования омических и барьерных контактов.
- Поиск способов улучшения характеристик омических контактов.
- Разработка технологии изготовления и анализ характеристик и параметров микроприборов на основе нитридов ІІІ группы − диоды Шоттки на нитриде галлия, HEMT транзисторы на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN.
Объектами исследования — были эпитаксиальные структуры нитридов ІІІ группы на сапфировых подложках и микроприборы на их основе. Эпитаксиальные структуры, используемые в рамках данной работы, поставлялись ЗАО «Элма-Малахит», г. Москва, ФТИ им. Иоффе, г. Санкт- Петербург.
Методы исследования. При проведении процессов травления для анализа топологии, морфологии и структурных особенностей поверхности использовались методы оптической профилометрии, атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии. Для решения поставленных задач по анализу характеристик приборных микроструктур на пластине использовался измерительный комплекс, который включает в себя зондовую станцию MPS- 150 и измеритель характеристик полупроводниковых приборов Keithley 4200- SCS; для анализа электрофизических параметров микроструктур на отдельных технологических операциях использовался Холловский метод.
Научная новизна:
1. Установлены факторы (режим травления, материал защитного покрытия), определяющие процесс микропрофилирования структур на основе нитридов III группы с целью реализации технологии глубокого травления нитрида галлия.
2. Обеспечена управляемость процесса селективного травления GaN относительно Al0,25Ga0,75N с помощью выбора режима травления.
3. Выявлена возможность изготовления омических контактов на основе систем Cr/Pt/Au без высокотемпературной обработки, которая позволяет формировать системы барьерных и омических контактов в одном технологическом цикле.
Основные положения, выносимые на защиту:
1. Для обеспечения глубокого травления (10 мкм и выше) нитрида галлия с получением вертикального профиля и сохранением морфологии поверхности необходимо использование газовой смеси Cl2/BCl3/Ar (20/60/10 см3/мин) с мощностью источника индуктивно-связанной плазмы 600 Вт и высокочастотной мощностью 100 Вт.
2. Введение в газовую смесь Cl2/Ar добавки кислорода с расходом 5 см3/мин позволяет получить селективность травления GaN по отношению к Al0,25Ga0,75N на уровне 28:1 с сохранением морфологии поверхности.
3. Для получения низкоомных омических контактов при формировании микроприборов на основе нитридов ІІІ группы необходимо проведение модификации поверхности полупроводника посредством создания ионно-легированных слоев, введения подслоя кремния в систему металлизации, использования сильнолегированных защитных слоев.
Нужна помощь в написании автореферата?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Обоснованность и достоверность экспериментальных исследований — основана на использовании апробированных методик исследования, согласием экспериментальных данных с теоретическими представлениями, широким представлением результатов на конференциях и семинарах, публикациями в рецензируемых журналах.
Практическая значимость заключается в следующем:
- Разработана технология микропрофилирования, обеспечивающая проведение процессов глубокого травления нитридов III группы.
- Получены режимы, позволяющие проводить селективное травление структур GaN/Al0,25Ga0,75N без повреждения барьерного слоя.
- Разработана технология формирования омических контактов без высокотемпературной обработки к нитридам III группы с низким значением контактного сопротивления.
- Разработаны и изготовлены опытные образцы диодных и транзисторных микроприборов на основе нитридных полупроводников.
Реализация и внедрение результатов исследований:
Результаты диссертационных исследований внедрены в учебный процесс в Новгородском государственном университете имени Ярослава Мудрого, где используются в лекциях и при проведении практических занятий по дисциплине «Наноэлектроника», при выполнении выпускных квалификационных работ при подготовке бакалавров и магистров по направлению «Электроника и наноэлектроника». Результаты исследований использованы при выполнении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ: при поддержке Минобрнауки России в рамках проектной части государственного задания, проект №3.3572.2017/ПЧ, 2017-2018 г.г., при поддержке Минобрнауки в рамках базовой части госзадания, проект № 1755, 2014-2016 г.г. НИОКР по заказу ОАО «ОКБ-Планета»: Анализ микро- и наноструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 (2013 г.), Анализ приборных микро- и наноструктур на основе нитрида и арсенида галлия зондовыми методами (2015 г.), Формирование структур силовой и оптической электроники на основе нитрида и арсенида галлия (2016 г.), Диагностика микроструктур силовых приборов на основе нитрида галлия (2017 г.).
На конкурсе персональных грантов «Участник молодежного научно- исследовательского конкурса» в 2011 году получен грант государственной поддержки.
Апробация результатов исследования и публикации
Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих международных, всероссийских конференциях и семинарах, а также вузовских конференциях:
- 7-я, 8-я, 9-я, 10-я, 11-я всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия, алюминия-структуры и приборы», 2011, 2013, 2015,
- IX, X, XII, XIII, XIV, XV научно-техническая конференция «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», 2010, 2011, 2013, 2014, 2015, 2017.
- Конкурсные работы аспирантов и молодых ученых по направлению «Стратегическое партнерство вузов и предприятий радиоэлектронной промышленности», 2010.
- IV, V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 2012,
- 15th Scientific Youth School «Physics and technology of micro- and nanosystems. Silicon Carbide and Related Materials»,
- Юбилейная научно-техническая конференция, посвященная 70- летию ФГУП «НПП «Исток»,
- 5-я, 6-я, 7-я, 8-я, 9-я научно-практические конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», 2014, 2015, 2016, 2017,
- VI, VIII, IХ, Х Международные научно-технические конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», 2016, 2017, 2018;
- 7-я Международная научная конференция «Химическая термодинамика и кинетика»,
Публикации. Основные теоретические и практические результаты диссертации изложены в 24 публикациях, в числе которых 8 статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК РФ, 15 – в научных сборниках и трудах российских и международных конференций, получен патент на полезную модель.
Личный вклад соискателя
При непосредственном участии автора были проведены основные технологические операции, рассмотренные в работе. Автор лично проводил измерения параметров опытных образцов. В работах, выполненных в соавторстве, автор принимал активное участие в постановке задач, выборе и обосновании методов их решения и интерпретации полученных результатов
Содержание работы
Во введении — обоснована актуальность работы, сформулированы цели и задачи, основные научные положения, выносимые на защиту, отмечены научная новизна и практическая значимость диссертационной работы.
В первой главе — произведен обзор литературных источников, в ней обобщены и систематизированы литературные данные, касающиеся свойств материала, особенностей эпитаксиального выращивания, а также выбора подложек для различных приборных применений. Обзор свойств нитрида галлия позволяет сделать вывод о перспективах использования этого материала как в СВЧ- и силовой электронике (СВЧ транзисторы, силовые диоды), так и в оптоэлектронике (светодиоды синего и ультрафиолетового спектра, солнечно – слепые фотоприемники). Ключевым вопросом при этом, до сих пор, остается качество материала, определяемое, по-сути, подложкой, на которой он выращивается.
В главе — рассмотрены вопросы формирования контактных систем к твердым растворам AlxGa1-xN, в том числе выбор систем омических и выпрямляющих контактов.
Рассмотрены вопросы травления эпитаксиальных структур AlxGa1-xN, выбор методов и оценка параметров травления. Проведен обзор современного состояния технологии микропрофилирования нитридов III группы. Представлены методы жидкостной и «сухой» обработки указанных материалов. Показано, что ограничение жидкостного травления для нитридов III группы вызвало значительный интерес к развитию методов сухого травления. Указана целесообразность травления нитридных полупроводников с использованием источников на индуктивном ВЧ-разряде в хлорсодержащей среде. Такие источники позволяют создавать более плотную плазму с высокой однородностью и лучшей управляемостью.
Во второй главе — рассмотрено применение технологии микропрофилирования для формирования микроприборов на основе нитридов III группы.
Раздел 2.1. описаны методы оценки микрорельефа и морфологии поверхности после проведения операций микропрофилирования. В частности рассмотрены атомно-силовая микроскопия и оптическая профилометрия.
В разделе 2.2. представлены результаты экспериментальных исследований процесса микропрофилирования нитрида галлия в хлорсодержащей среде. Травление образцов осуществлялось методом реактивно-ионного травления на установке Sentech SI-500, оснащенной источником индуктивно-связанной плазмы.
В качестве рабочих образцов использовались эпитаксиальные структуры нитрида галлия, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (MOCVD) на сапфировой подложке диаметром 2 дюйма.
Образцы подвергались травлению в хлорсодержащей среде на основе смеси Cl2/BCl3/Ar. Проведена серия экспериментов по определению влияния основных параметров плазменного процесса (мощность источника индуктивно-связанной плазмы (ICP-мощность), высокочастотная мощность, давление в реакторе, расход газовой смеси) на скорость травления и морфологию поверхности нитрида галлия.
При увеличении давления уменьшается длина свободного пробега частиц, при этом уменьшается их энергия. Соответственно уменьшается скорость травления материала. Сильное влияние на скорость травления оказывает правильный выбор реактивного газа или смеси газов. Скорость плазмохимического травления материалов быстро увеличивается с ростом скорости подачи или расхода газа. Она достигает максимума, а затем уменьшается при дальнейшем увеличении расхода газа. Малая скорость травления при малых расходах газа определяется недостаточным числом образующихся в разряде химически активных частиц из-за недостатка исходного вещества. Падение скорости при больших потоках можно объяснить тем, что активные частицы плазмы откачиваются быстрей, чем успевают взаимодействовать с обрабатываемым материалом.
Также представлены результаты исследования селективности травления нитрида галлия по отношению к защитному покрытию. В качестве защиты использовалась комбинированная маска, состоящая из никеля толщиной 0,25 мкм с подслоем двуокиси кремния толщиной 0,3 мкм. Использование подслоя позволяет более эффективно удалять защитное покрытие за счет растворения SiO2 в буферном травителе (NH4F + HF). Показано, что при использовании режима травления ICP мощность 600 Вт, ВЧ-мощность 100 Вт, давление 1,2 Па, расход Cl2/BCl3/Ar 60/20/10 см3/мин селективность травления нитрида галлия по отношению к маске составляет ~30:1. Таким образом, использование такой маски является эффективным методом защиты при микропрофилировании нитрида галлия в указанных режимах травления.
Анализ топологии, морфологии и структурных особенностей поверхности после травления проводился с помощью оптического профилометра, атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии.
В разделе 2.3. приводятся экспериментальные данные по селективности травления GaN и Al0,25Ga0,75N в зависимости от состава газовой смеси с учетом влияния мощности ICP источника и ВЧ-мощности.
Травление образцов проводилось в среде Cl2/Ar с различным расходом кислорода (от 0 до 10 см3/мин) при мощности источника индуктивно-связной плазмы 75, 100 и 200 Вт и ВЧ-мощности 10, 30, 60 и 90 Вт. Давление в камере составляло 1,2 Па и расход Cl2/Ar – 60/10 см3/мин. При этом при введении кислорода происходит окисление Al в слое AlGaN с образованием стойкого к травлению соединения Al2O3.
В результате проведенных работ показано, что селективность травления GaN/Al0,25Ga0,75N в газовой смеси Cl2/Ar/O2 изменяется в широких пределах и в первую очередь определяется добавкой кислорода в газовую смесь, как показано на рисунках 6 и 7. При этом введение кислорода с расходом 5 см3/мин позволяет получать максимум селективности. Дальнейшее увеличение расхода кислорода приводит к снижению селективности из-за падения скорости травления нитрида галлия.
На селективность травления также оказывает влияние мощность источника индуктивно-связной плазмы и ВЧ-мощность. Поскольку ВЧ- мощность определяет физический механизм травления, то при определенном ее значении будет стравливаться и соединение Al2O3. Таким образом, имеет место максимум на зависимости селективности травления от ВЧ-мощности.
На зависимости селективности травления имеет максимум при значении ICP мощности 100 Вт. Меньшие значения мощности не обеспечивают необходимых скоростей травления из-за достаточно низкой плотности плазмы. При значении мощности больше 100 Вт происходит рост скорости травления Al0,25Ga0,75N в связи с более плотной плазмой и, соответственно, снижение селективности.
В разделе 2.4. представлены результаты исследований по влиянию обработки поверхности полупроводника перед формированием барьерной металлизации в плазме Cl2/BCl3/Ar на параметры контакта Шоттки. Обработка проведена при расходе Cl2/BCl3/Ar 60/20/10 см3/мин, давлении 1,2 Па и изменении ICP мощности от 50 до 400 Вт и ВЧ-мощности от 20 до 75 Вт. Параметры контакта Шоттки оценивалась по величине высоты барьера и коэффициента неидеальности, определяемых из вольтамперных характеристик. Существует определенный диапазон значений мощности, при котором коэффициент неидеальности близок к единице, что свидетельствует о качественном контакте металл–полупроводник.
При дальнейшем увеличении ВЧ- и ICP мощностей происходит ухудшение морфологии поверхности из-за увеличения плотности плазмы и физической составляющей травления, что приводит к увеличению коэффициента неидеальности.
Нужна помощь в написании автореферата?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
В третьей главе — рассмотрена технология формирования контактных систем для микроприборов на основе эпитаксиальных слоев нитридных полупроводников.
Раздел 3.1. описывает вариант контроля величины удельного контактного сопротивления с помощью метода длинной линии. Рассмотрены границы применимости этого метода.
В разделе 3.2. проведено исследование системы Ti/Al/Ni/Au для эпитаксиальных пленок нитрида галлия с анализом влияния толщины отдельных компонентов металлизации и различных режимов отжига.
В качестве тестовых образцов использовались эпитаксиальные структуры нитрида галлия, выращенные на сапфировой подложке.
В рамках работы проведен анализ влияния композиции омического контакта и температурно-временной обработки на контактное сопротивление и морфологию поверхности. Выбрано оптимальное соотношение толщины Ti/Al, толщина слоев Ti и Ni, которые обеспечивают приемлемые параметры контакта. Показано, что при выборе режимов отжига необходимо ориентироваться на температуры 800 и 900 °С и времена от 90 до 120 секунд. Меньшие температуры и время не позволяют добиваться требуемых параметров.
Раздел 3.3. посвящен методам модификации поверхности для улучшения контактного сопротивления, а именно увеличение уровня легирования в подконтактных областях. Для реализации такого направления была выбрана технология ионной имплантации кремния в эпитаксиальные слои нитрида галлия. Использование технологии имплантации совместно с высокотемпературным активационным отжигом, привело к возможности формирования омических контактов на основе системы Cr/Pt/Au без высокотемпературной обработки. Также рассмотрены технология вставки подслоя кремния под систему металлизации Ti/Al/Ni/Au. Подслой кремния позволяет снижать температуру обработки за счет подлегирования поверхностного слоя полупроводника, улучшая контактное сопротивление и морфологию поверхности. Показана возможность использования легированных слоев нитрида галлия в гетероструктуре AlGaN/GaN, позволяющих улучшать характеристики контактов.
В разделе 3.4. описан подбор системы металлизации для формирования барьерного контакта к структурам на основе нитридов III группы. Проведено исследование влияния металлизации барьерного контакта (на основе Ti, Ni или Cr) на электрические характеристики диодных структур. Показано, что характеристики приборных структур с использование барьерных контактов на основе системы Ni/Au превосходят характеристики структур с другими системами выпрямляющих контактов.
Четвертая глава — посвящена анализу технологии изготовления, измерению и исследованию характеристик микроприборов на основе нитридов III группы.
В разделе 4.1. описывается измерительный комплекс, необходимый для проведения исследования микроприборов на пластине.
Раздел 4.2. посвящён технологии изготовления и исследованию характеристик созданных микроприборов на основе нитрида галлия. Показано формирование диодов Шоттки с квазивертикальной геометрией контактов. В качестве исходного материала использовались эпитаксиальные структуры на основе GaN слоев.
На указанных структурах, используя разработанные в разделе 2.1. режимы глубокого травления, получены опытные образцы диодов Шоттки.
На указанных структурах, используя разработанные в разделе 2.2. режимы глубокого травления, получены опытные образцы диодов Шоттки. В качестве омических контактов использовались системы Si/Ti/Al/Ni/Au и Cr/Pt/Au. Барьерный контакт сформирован на основе системы Ni/Au. Для диодов с омическими контактами Si/Ti/Al/Ni/Au проведена работа по анализу влияния обработки в хлорсодержащей плазме на параметры диодных структур. Показано, что наилучшие результаты получены при мощности индуктивно-связанной плазмы 100 Вт (таблица 1).
Таблица 1.Влияние обработки в плазме Cl2/BCl3/Ar на параметры диодов Шоттки
В разделе 4.3. рассмотрены технологические операции по формированию и исследование характеристик транзисторов. В качестве исходного материала использовались структуры на основе гетероперехода Al0,25Ga0,75N/GaN.
В работе исследовалось влияние омических контактов на выходные характеристики микроприборов. Рассмотрена возможность использования ионной имплантации (ИИ) для формирования сильнолегированных подконтактных областей), защитных легированных слоев.
При использовании ионной имплантации необходимо сформировать локальные области сильнолегированного материала. При этом необходимо, чтобы максимум распределения примеси приходился на уровень двумерного электронного газа, формируемого на границе раздела AlGaN и GaN, т. е. на глубину порядка 25 нм. Для этого предлагается использовать диэлектрические пленки диоксида кремния разной толщины (50 нм, 100 нм), служащие маской при проведении процесса легирования. Оценка удельного контактного сопротивления показало, что наименьшее сопротивление получено для структуры с ионной имплантацией через маску SiO2 толщиной 50 нм.
В качестве легированных защитных слоев использовались слои n+-GaN толщиной 20 и 40 нм. При использовании таких структур необходимо проведение операции травления n+-слоя для формирования барьерной металлизации. Результаты измерений показывают, что при использовании n+— слоя толщиной 20 нм получается более низкое значение удельного контактного сопротивления по сравнению со структурой с n+-слоем толщиной 40 нм.
Затворы транзисторов длиной 1 мкм и шириной 100 мкм формировались на основе системы металлизации Ni/Au.
В результате проведенных работ были получены работоспособные опытные образцы транзисторных структур, на которых были исследованы выходные характеристики и оценены основные параметры транзистора (таблица 2.).
Таблица 2. Основные характеристики полученных транзисторов
Таким образом, в рамках работы получены приборные структуры различного типа как с использованием эпитаксиальных слоев нитрида галлия, так и на основе гетеропереходов AlGaN/GaN. Показано, что полученные технологические процессы позволяют создавать работоспособные приборные структуры
В заключении — диссертационной работы подводятся общие итоги проведенных исследований. Дается оценка полученным результатам, и делаются выводы о достижении целей исследования и выполнении поставленных задач.
Основные результаты работы:
- Разработаны режимы травления и материал защитного покрытия для осуществления глубокого травления нитрида галлия с сохранением морфологии поверхности.
- Разработаны режимы селективного травления нитрида галлия относительно Al0,25Ga0,75N в смеси Cl2/Ar/O2, позволяющие прецизионно удалять слои гетероструктуры без повреждения барьерного слоя.
- Установлены режимы обработки в плазме на основе Cl2/BCl3/Ar перед формированием выпрямляющих контактов, позволяющие улучшить характеристики микроприборов.
- Определены композиции систем омических и выпрямляющих контактов приборных структур на основе нитридов III группы.
- Разработана технология формирования омических контактов без высокотемпературной обработки к нитридам III группы с низким значением контактного сопротивления.
Осуществлено внедрение разработанных операций микропрофилирования и создания контактных систем в технологический маршрут изготовления диодов Шоттки и HEMT транзисторов на основе нитридов III группы.
Список использованных источников
1. Козловский Э. Ю., Спивак Ю. М., Мошников В. А., Пономарева А. А., Селезнев Б. И., Иванов Н. Н., Желаннов А. В. Транзисторные структуры типа pHEMT: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии // Научно-технические ведомости Санкт- Петербургского государственного политехнического университета. Физико- математические науки. 2010. Вып.1(94). С. 18–29.
2. Желаннов А. В., Удальцов В. Е., Падорин А. В. Исследование омических контактов Ti/Al/Ni/Au и Ni/Au к эпитаксиальным слоям нитрида галлия // Вестник Новгородского государственного университета. 2010. вып. 60. С. 65–69.
3. Удальцов В. Е., Желаннов А. В., Титова А. А., Панов Н. А. Ультрафиолетовый излучающий диод // Вестник Новгородского государственного университета. 2011. вып. 65. С. 38–40.
4. Желаннов А. В., Удальцов В. Е., Федоров Д. Г. Исследование силовых диодов Шоттки на основе нитрида галлия // Вестник Новгородского государственного университета. 2012, вып. 68. С. 92–94.
5. Желаннов А. В., Падорин А. В., Удальцов В. Е. Разработка технологии реактивно-ионного травления слоев нитрида галлия в хлорсодержащей среде // Электронная техника. Серия 1 СВЧ-Техника. Труды юбилейной конференции, посвященной 70-летию ФГУП «НПП «Исток» ч. 2. 2013. вып. 4(519). С. 139– 143.
6. Гудков Г. В., Желаннов А. В., Ионов А. С., Петров А. В., Федоров Д. Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине // Новгородского государственного университета. 2016. вып. 98. С. 12–16.
7. Желаннов А. В., Селезнев Б. И., Федоров Д. Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия.// Вестник Новгородского государственного университета. 2017. вып. 104. С. 24– 27.
8. Желаннов А. В., Ионов А. С., Петров А. В., Селезнев Б. И, Использование технологии микропрофилирования при формировании приборных структур на основе нитрида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2017 вып. 7. С. 399–405.
9. Желаннов А. В. Структура и свойства омических контактов Ti/Al/Ni/Au и Ni/Au к эпитаксиальным слоям нитрида галлия // Сборник конкурсных научно-исследовательских работ аспирантов и молодых ученых в области стратегического партнерства ВУЗов и предприятий радиоэлектронной промышленности. Санкт-Петербург. 2010 г. С. 83–87.
10. Желаннов А. В., Удальцов В. Е. Исследование омических контактов к эпитаксиальным слоям нитрида галлия // Материалы IX научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Звенигород. 2010 г. С. 211–213.
11. Желаннов А. В. Исследование диодов Шоттки на основе эпитаксиальных слоёв нитрида галлия n-типа // Доклад 8-й всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия, алюминия-структуры и приборы», Санкт-Петербург. 2011 г. С. 137–138.
12. Желаннов А. В., Удальцов В. Е., Федоров Д. Г. Применение ионной имплантации при формировании омических контактов к диодным структурам на основе нитрида галлия // Доклад IV Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск. 2012 г. С. 29–30.
13. Zhelannov A. V., Oudaltsov V. E. GaN-based Schottky diodes.// 15th Scientific Youth School «Physics and technology of micro- and nanosystems. Silicon Carbide and Related Materials». Saint-Petersburg. 2012 г. С. 59.
14. Желаннов А. В., Падорин А. В., Удальцов В. Е. Разработка технологии реактивно-ионного травления слоев нитрида галлия в хлорсодержащей среде // Доклад юбилейной научно-технической конференции, посвященной 70-летию ФГУП «НПП «Исток». Фрязино. 2013 г. С. 139–143.
15. Федоров Д. Г., Желаннов А. В., Селезнев Б. И. Диоды Шоттки на структурах GaN c ионнолегированными слоями // Сборник трудов 6-й научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». Москва. 2015 г. С. 44–45.
16. Желаннов А. В., Федоров Д. Г., Греба В. М., Селезнев Б. И. Невжигаемые омические контакты Cr/Pt/Au к слоям GaN // Материалы XIV научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Москва. 2015 г. С. 55–57.
17. Желаннов А. В., Федоров Д. Г., Селезнев Б. И. Разработка технологии травления нитрида галлия в хлорсодержащей среде // Сборник трудов 7-й научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». Москва. 2016 г. С. 57–58.
18. Желаннов А. В., Федоров Д. Г. Использование технологии микропрофилирования при формировании приборных структур на основе нитрида галлия // Доклад 11-й всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия, алюминия-структуры и приборы». Москва. 2017 г. С. 144–145.
19. Желаннов А. В., Ионов А. С., Петров А. В., Селезнев Б. И. Влияние травления на характеристики структур диодов Шоттки на нитриде галлия // Сборник трудов 8-й научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». Москва. 2017. С. 57–58.
20. Желаннов А. В., Селезнев Б. И. Исследование характеристик барьера Шоттки на нитриде галлия в процессе обработки в хлорной плазме // Материалы IХ Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике». Нальчик. 2017 г. С. 407–410.
21. Желаннов А. В., Селезнев Б. И. Плазмохимическое травление нитрида галлия в хлорсодержащей среде // Сборник докладов 7 Международной научной конференции «Химическая термодинамика и кинетика». Великий Новгород. 2017 г. С. 99–100.
22. Желаннов А. В., Оказов А. К., Селезнев Б. И. Селективное травление GaN/AlGaN в хлорсодержащей среде Cl2/Ar/O2 // Материалы XV научно- технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Москва-Дубна. 2017 г. С. 125–127.
23. Желаннов А. В., Селезнев Б. И. Применение проводящего cap-слоя GaN при формировании транзисторных структур на нитриде галлия // Сборник трудов 9-й научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». Москва. 2018 г. С. 46–48
24. Удальцов В. Е., Титова А. А., Желаннов А. В., Фомин О. Г. Ультрафиолетовый излучающий диод // Патент на полезную модель № 142036, зарегистрировано в Гос. реестре полезных моделей РФ от 15.05.14.