Не отобразилась форма расчета стоимости? Переходи по ссылке

Не отобразилась форма расчета стоимости? Переходи по ссылке

Научная статья на тему «Математическое моделирование межэлектродных емкостей ВВПК»

Важными параметрами высокочастотных вакуумных выключателей, переключателей и реле (высокочастотные вакуумные приборы коммутации — ВВПК) являются межэлектродные емкости: межконтактная Смк (емкость между разомкнутыми контактами), замкнутых контактов Сзк (емкость замкнутых контактов относительно корпуса электромагнита — «земли») и свободного контакта Ссв (емкость свободного контакта относительно корпуса электромагнита).

Помощь в написании статьи

Обусловлено это тем, что они определяют мощность потерь энергии высокой частоты через ВВПК за счет емкостных токов при их работе с разомкнутыми и замкнутыми контактами, что в итоге снижает мощность сигнала, передаваемого в антенну от радиопередающего устройства. Кроме того, в совокупности с индуктивностью токопроводящих элементов ВВПК они определяют и их собственную резонансную частоту, а следовательно, и максимальную рабочую частоту. Отмеченное вызывает необходимость расчета емкости непосредственно на этапе проектирования ВВПК для уточнения, при необходимости, либо их конструктивного исполнения, либо рассчитанных или выбранных размеров основных элементов и изоляционных промежутков.

В основу моделирования межэлектродных емкостей ВВПК положен принцип составления эквивалентных электрических схем распределения частичных емкостей при замкнутом и разомкнутом положении контактов ВВПК, предложенный в [1]. При этом несколько соединенных вместе проводников рассматривались как один проводник, а не имеющих между собой электрического соединения — как система многих проводников, определенным образом расположенных в пространстве относительно друг друга. Составленные с учетом этого эквивалентные электрические схемы распределения частичных емкостей, применительно к различным конструкциям ВВПК [2—13], представлены на рис. 1—8.

Рис. 1. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей вакуумного выключателя типа В7В-1 [2].
СЭН — емкость между экраном и неподвижным контактом,

СЭО — емкость между экраном и основанием неподвижного контакта

 

Рисунок 2. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей вакуумного выключателя типа В9В-1 [3]

 

Рисунок 3. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей вакуумного выключателя типа В15В-1 [4]

 

Рисунок 4. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей вакуумных выключателей типа В1Д-1 (В1В-1), В2Д-1, В1А-1 и др. [5—7]

 

Рисунок 5. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей ВП типа П1Д-1 и П1Д-3 [8, 9]

Нужна помощь в написании статьи?

Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Цена статьи

 

Рисунок 6. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей вакуумных переключателей типа П1В-1, П2Д-2 и др. [10]

 

Рисунок 7. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей вакуумного переключателя типа П1Д-2, П2Д-2, П4Д-1 [10—13] (подвижный контакт замкнут на вывод 1, пунктиром — на вывод 2 [11—13] СВ — емкость между выводами 1 и 2 вне керамики, СКП Б — емкость между выводом 1, 2 и контактной пластиной, СПК, СВПК — емкость переключающего контакта вне и внутри оболочки относительно корпуса, СИВ — емкость изолирующей втулки

 

Рисунок 8. Эквивалентная схема распределения частичных емкостей ВВ типа В1Д-2 и др. СВК — емкость вывод-корпус, СКП — емкость пластина контактная — корпус, СИ — емкость изолятора, СБВ — боковая емкость между выводами

 

Общими для всех схем обозначениями частичных емкостей являются: Св — емкость выводов по их длине; Ств — торцевая емкость выводов (фланцев), свободных от диэлектрика оболочки; Со — емкость диэлектрической оболочки; Сс — емкость между свободными частями оснований; Сн — емкость неподвижного контакта по длине; Ст — торцовая емкость контактов; Сст — емкость между внутренними поверхностями контактов; Стк — торцовая емкость замкнутых контактов; h — расстояние между соответствующими элементами ВВПК; а) — контакты разомкнуты, б) — контакты замкнуты. Расшифровка обозначений остальных частичных емкостей, присущих конкретной конструкции ВВПК, приведены непосредственно на каждой из приведенных рис. 1—8 схем. Аналогично составляются эквивалентные электрические схемы распределения частичных емкостей и для других конструктивных исполнений ВВПК. При этом точность расчета межэлектродных емкостей зависит от полного учета частичных емкостей при составлении эквивалентной электрической схемы их распределения.

Межэлектродные емкости ВВПК моделировались путем решения составленной эквивалентной электрической схемы методом контурных токов, с применением метода конформных преобразований для приведения элементов сложного профиля к одному из простых профилей, формулы для расчета которых даны в [14].

Полученные в результате моделирования схем формулы для расчета межэлектродных емкостей ВВПК различного конструктивного исполнения имеют следующий вид:

·мощные вакуумные выключатели без привода (рис. 1—3) с коаксиальным расположением цилиндрических (трубчатых) токопроводников и диэлектрической оболочки (В7В-1, В9В-1, В15В-1)]:

                               (1)

·вакуумные выключатели со встроенным электромагнитом (рис. 4) и расположением выводов по боковой поверхности диэлектрика оболочки (В1В-1, В2В-1, В1А-1 и др.):

Нужна помощь в написании статьи?

Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Цена статьи

                                        (2)

где:

·вакуумные переключатели (рис. 5) со встроенным электромагнитом и расположением выводов на боковой  или торцовой поверхности диэлектрических оболочек (П1Д-1, П1Д-3, П1В-1, П2Д-1 и др.):

                                             (3)

где: ,

где:

·     ВВПК на включение и переключение стержневого типа со встроенным электромагнитом (В1Д-2, В2Д-3, П1Д-2 П4Д-1 и др.):

                 (4)

Индексы в обозначениях частичных емкостей означают наименование соответствующих элементов ВВПК. Частичные емкости в выражениях (1—4) рассчитываются по известным формулам, приведенным в [14, 15], в следующем преобразованном для расчета частичных емкостей ВВПК виде:

                                             (5)

где: R и L радиус и длина цилиндрического трубчатого вывода (контакта), причем погрешность расчета при L/R < 2 составляет не более 3 % [14]:

                                      (6)

где: Dв   и Dо  — внешние диаметры выводы (фланца) и диэлектрика оболочки;

                                                    (7)

где: dо  — внутренний диаметр изоляционной оболочки;

                                 (8)

где: Dк — внешний диаметр цилиндрического контакта (токопроводника);

Сэ — рассчитывается по формуле (5), где R и L, соответственно, радиус и длина цилиндрического (трубчатого) экрана;

Сп, Си — рассчитываются по формуле (5), где R и L, соответственно, радиус и длина цилиндрических контактов;

                                 (9)

где: dк — внутренний диаметр контактирующих торцами контактов.

В случае конструктивного исполнения выключателя по [4], Ст определяется суммой частичных емкостей:

                               (10)

где:

где: Dн  и Dп ; dн и dп — диаметры наружные (н) и внутренние неподвижного и подвижного контактов;

d н.вн — внутренний диаметр токосъемника,

Нужна помощь в написании статьи?

Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Подробнее

h1 и h2 —длина перекрытия в кольцевом зазоре и между торцами неподвижного и подвижного контактов.

При замкнутом положении контактов торцовая емкость контактов ВВПК определяется, в основном, величиной сближения их контактирующих поверхностей в местах отсутствия металлического контакта. При этом величина максимального сближения контактирующих поверхностей зависит от физических свойств материала контактов, шероховатости контактирующих поверхностей и величины контактного нажатия. С учетом этого, формула [15] для торцевой емкости замкнутых контактов  применительно к контактной группе ВВПК «полусфера-плоскость», принимает вид:

             (11)

где: Ам — наибольшее внедрение, мм;

R — приведенный радиус микронеровностей, мм;

Нм — максимальная высота микровыступов, мм;

Е — модуль упругости первого рода, кгс/мм2;

                             (12)

где: ;

 (для пары полусфера-плоскость),

а Qc — контактное нажатие на единицу кажущейся поверхности, кгс/мм2; b, R, v и  — основные параметры шероховатых поверхностей, зависящие от вида обработки, приведены табл. 1 [15].

Таблица 1

Параметры шероховатых поверхностей

Вид обработки R,мкм Нм,мкм v K B
Полирование 300—500 0,35—0,5 3 0,12 5—10 0,3
Шлифование 150—300 0,3—0,2 3 0,10 4—6 0,3
Точение грубое- 10—200 1—20 2 0,4 1—4 0,3

 

В случае контактирования цилиндрических контактов по торцовой плоскости, формула для расчета их торцовой емкости получена в следующем виде:

                 (13)

где: Sэфф.к = 4 .

При расчете емкостей по  формулам (4), расчет входящих в них частичных емкостей проводим по следующим соотношениям [14]:

                                  (14)

                                     (15)

где: t — толщина стенки оболочки;

                                      (16)

где:

                                                                         (17)

                                                                                        (18)

                                                                                     (19)

                                                                                           (20)

а частичная емкость Стк — рассчитывается по формуле ( 13).

Нужна помощь в написании статьи?

Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Цена статьи

В формулах (2—4) частичные емкости рассчитываются по ниже приведенным соотношениям. Емкость Сбв , с учетом керамического корпуса, определяется по соотношению [14]:

                                                           (21)

Для расположенных под углом двух прямоугольных пластин или пластины  контактирующей с полуплоскостью (разомкнутый и замкнутый контакты), емкость определяется по следующему соотношению [14]:

                  (22)

где: v > 90о,     ,            a = t/2,

d — расстояние от концов контактов до точки их пересечения,

t — толщина контактной пластины.

Емкость разомкнутый — переключающий контакт Срп определяется по следующему соотношению [14]:

                                (23)

где: 0 < k < 1 — параметр, определяемый системой уравнений [14] :

                                      (24)

а Vo(x) — тэта функция, .

Остальные частичные емкости определяются по следующим приведенным ниже соотношениям:

     (25)

Заключение

Полученные аналитические соотношения позволяют на этапе проектирования ВВПК рассчитать межэлектродные емкости и произвести необходимые конструктивные изменения для обеспечения заданных значений емкостей. Применимость соотношений подтверждена расчетами при проектировании ВВПК различного конструктивного исполнения.

Список литературы:

1.Бочкарев В.С. Исследование, разработка основ проектирования и создание серии высоковольтных вакуумных приборов коммутации для СВ, КВ и УКВ диапазонов радиочастот. Диссертация  на соискание ученой степени доктора технических наук. Пенза, 1994 г. — 585 с.

2.Бочкарев В.С. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 562014 кл. Н01Н 33/66 на «Вакуумный выключатель высокого напряжения», опубликованное 12.07.77.

Нужна помощь в написании статьи?

Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Подробнее

3.Бочкарев В.С., Трущенко Э.В., Голова Р.П. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 295152 кл. Н01Н 33/66 на «Вакуумный выключатель», опубликованное 01.04.71.

4.Бочкарев В.С. Трущенко Э.В., Голова Р.П. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 467417 кл. Н01Н 33/66 на «Вакуумный выключатель», опубликованное 23.07.75

5.Бочкарев В.С., Коновалов А.Т. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 305517 кл. Н01Н 33/66 на «Вакуумный выключатель», опубликованное 27.07.71.

6.Бочкарев В.С., Буц В.П., Криштаб Ю.Б. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 748553 кл. Н01Н 33/66 на «Вакуумный выключатель», опубликованное 17.07.80.

7.Бочкарев В.С. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 883997 кл. Н01Н 33/66 на «Вакуумный выключатель высокого напряжения», опубликованное 12.07.77.

8.Бочкарев В.С., Буц В.П.Б Голова Р.П., Криштаб Ю.Б. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 826443 кл. Н01Н 33/66 на «Высоковольтный вакуумный переключатель», опубликованное 10.05.81.

9.Бочкарев В.С. Описание изобретения к  патенту РФ № 1756963 кл. Н01Н 33/66 на «Высоковольтный вакуумный переключатель», опубликованное 11.06.93.

10.Бочкарев В.С. Описание изобретения к патенту РФ № 2064702 кл. Н01Н 33/66 на «Высоковольтный вакуумный переключатель», опубликованное 11.06.93.

11.Бочкарев В.С. Описание изобретения к авторскому свидетельству СССР № 1146741 кл. Н01Н 33/66 на «Высоковольтный вакуумный переключатель», опубликованное 23.03.85.

12.Бочкарев В.С., Коновалов А.Т., Кулаков М.М., Кузнецов Н.А. Описание изобретения к патенту РФ № 2066891 кл. Н01Н 33/66 на «Высоковольтный вакуумный переключатель», опубликованное 26.09.96.

13.Бочкарев В.С., Коновалов А.Т., Кулаков М.М., Кузнецов Н.А. Описание изобретения к  патенту РФ № 2076371 кл. Н01Н 33/66 на «Высоковольтный вакуумный переключатель», опубликованное 27.03.97.

14.Иоссель Ю.Я., Качанов Э.С., Струнский М.П. Расчет электрической емкости. М.: Энергоиздат, 1981. — 288 с.

Нужна помощь в написании статьи?

Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Заказать статью

15.Рене В.Т. Электрические конденсаторы. Л.: Энергия, 1969. — 602 с.